Η Samsung, παγκόσμιος ηγέτης στην προηγμένη τεχνολογία μνήμης, ανακοίνωσε την μαζική παραγωγή του πρώτου, μεγέθους 512 gigabyte (GB) ενσωματωμένου Universal Flash Storage (eUFS) 3.0 της βιομηχανίας, για χρήση σε κινητές συσκευές επόμενης γενιάς. Σύμφωνα με τις τελευταίες προδιαγραφές eUFS 3.0, η νέα μνήμη της Samsung αποδίδει διπλάσια ταχύτητα από την προηγούμενη έκδοση eUFS 2.1, επιτρέποντας στην μνήμη του κινητού να υποστηρίζει την απρόσκοπτη εμπειρία των χρηστών στα smartphones του αύριο με εξαιρετικά μεγάλες οθόνες υψηλής ανάλυσης.
«Η έναρξη της μαζικής παραγωγής της σειράς eUFS 3.0 μας εξασφαλίζει μεγάλο προβάδισμα στην αγορά κινητής τηλεφωνίας επόμενης γενιάς, στην οποία εισάγουμε μια ταχύτητα ανάγνωσης μνήμης που μέχρι πρότινος ήταν διαθέσιμη μόνο σε πολύ λεπτά laptops» δήλωσε ο Cheol Choi, Executive Vice President του Memory Sales & Marketing στην Samsung Electronics. «Καθώς επεκτείνουμε τις προσφορές μας για την eUFS 3.0, συμπεριλαμβανομένης της έκδοσης 1 Terabyte (TB) αργότερα μέσα στο έτος, αναμένουμε ότι θα συμβάλλουμε ιδιαίτερα στην επιτάχυνση της δυναμικής στην αγορά της premium κινητής».
Η Samsung παρήγαγε την πρώτη UFS επιφάνεια διεπαφής της βιομηχανίας με την eUFS 2.0 τον Ιανουάριο του 2015, η οποία ήταν 1,4 φορές ταχύτερη από την στάνταρ μνήμη κινητής της εποχής του, τότε γνωστή ως ενσωματωμένη κάρτα πολυμέσων (eMMC) 5.1. Σε μόλις τέσσερα χρόνια, η νεότερη έκδοση eUFS 3.0 της εταιρίας φτάνει την απόδοση των σύγχρονων, εξαιρετικά λεπτών notebooks.
Η έκδοση 512GB eUFS 3.0 της Samsung συνδυάζει οκτώ (8) στοιβάδες του V-NAND 512GB 5ης γενιάς και ενσωματωμένο ελεγκτή υψηλής απόδοσης. Στα 2.100 megabytes-per-second (MB/s), η νέα eUFS διπλασιάζει την διαδοχική ταχύτητα ανάγνωσης της τελευταίας eUFS μνήμης της Samsung (eUFS 2.1), που ανακοινώθηκε τον Ιανουάριο. Η αστραπιαία ταχύτητα ανάγνωσης της νέας λύσης είναι τέσσερις (4) φορές μεγαλύτερη από εκείνη ενός δίσκου SATA SSD και είκοσι (20) φορές μεγαλύτερη από μια τυπική microSD κάρτα, επιτρέποντας στα premium smartphones να μεταφέρουν μια Full HD ταινία σε ένα PC σε τρία δευτερόλεπτα* περίπου. Επιπλέον, η ταχύτητα διαδοχικής εγγραφής έχει βελτιωθεί κατά 50% κι αγγίζει τα 410MB/s, η οποία ισούται με αυτή ενός δίσκου SATA SSD.
Η ταχύτητα τυχαίας ανάγνωσης και εγγραφής της νέας μνήμης εξασφαλίζει 36% αύξηση σε σχέση με τις τρέχουσες προδιαγραφές της βιομηχανίας eUFS 2.1, αποδίδοντας 63.000 και 68.000 λειτουργίες Εισόδου/Εξόδου ανά δευτερόλεπτο (Input/Output Operations Per Second -IOPS), αντίστοιχα. Με σημαντικές αυξήσεις στις ταχύτητες τυχαίας ανάγνωσης και εγγραφής, οι οποίες είναι 630 φορές πιο γρήγορες από τις γενικές microSD κάρτες (100 IOPS), μπορούν να τρέξουν ταυτόχρονα πολλές πολύπλοκες εφαρμογές, επιτυγχάνοντας παράλληλα βελτιωμένη ανταπόκριση, ειδικά στις κινητές συσκευές επόμενης γενιάς.
Σε συνέχεια της κυκλοφορίας των εκδόσεων 512GB eUFS 3.0 και 128GB, η Samsung σχεδιάζει να παράγει 1ΤΒ και 256GB εκδόσεις το δεύτερο εξάμηνο του έτους, για να βοηθήσει περαιτέρω τους κατασκευαστές συσκευών διεθνώς να προσφέρουν καινοτόμες εμπειρίες κινητής επόμενης γενιάς.
