Η Samsung Electronics παρουσίασε πρόσφατα τις τελευταίες καινοτομίες της στην AI μνήμη στο Future of Memory and Storage (FMS) 2026, στη Σάντα Κλάρα της Καλιφόρνια.
Με εκτεταμένη τεχνογνωσία που καλύπτει DRAM, NAND, enterprise storage και σχετικές προηγμένες τεχνολογίες ημιαγωγών, η Samsung παρουσίασε το πιο πρόσφατο χαρτοφυλάκιο AI μνήμης και το τεχνολογικό της roadmap. Σε αυτό περιλαμβάνεται μια πρώτη παρουσίαση των concept models zHBM και zNAND-O, η πρώτη στον κλάδο παρουσίαση της V10 BV-NAND με περισσότερα από 400 επίπεδα, καθώς και μια ολοκληρωμένη σειρά λύσεων σχεδιασμένων να ενισχύσουν τη μελλοντική AI υποδομή. Η Samsung παρουσίασε επίσης στο FMS 2026 το booth της, εμπνευσμένο από AI cloud server, όπου εκτέθηκαν περίπου 30 τεχνολογίες μνήμης και αποθήκευσης.
Στο εναρκτήριο keynote event, στελέχη του Memory Business της Samsung, ο Jin-Yub Lee, Executive Vice President & Head of Flash Product & Technology, και ο Kyungryun Kim, Vice President & Project Leader της ομάδας DRAM Design, μίλησαν για τις 3D δομές επόμενης γενιάς στις μελλοντικές λύσεις στην κατηγορία της μνήμης.
Με τίτλο “Driving the Wave of AI Revolution: 3D Innovations in Memory & Storage Architecture”, το keynote παρουσίασε το όραμα της Samsung για τη μεγιστοποίηση της απόδοσης και της ενεργειακής αποδοτικότητας των AI συστημάτων, ανταποκρινόμενο παράλληλα στις ταχέως αυξανόμενες απαιτήσεις του high-performance computing (HPC) και της AI υποδομής.
Η εταιρεία παρουσίασε επίσης τη V10 BV-NAND, μια αρχιτεκτονική που αξιοποιεί νέα τεχνολογία wafer bonding, για πρώτη φορά στον κλάδο.
Το όραμα της Samsung για τη 3D μνήμη επόμενης γενιάς
Στο FMS 2026, η Samsung παρουσίασε για πρώτη φορά στον κλάδο τα concept models των zHBM και zNAND-O, αποκαλύπτοντας το όραμά της για την επόμενη γενιά αρχιτεκτονικών 3D μνήμης.
Σχεδιασμένη για προηγμένο AI computing, η zHBM εισάγει μια νέα αρχιτεκτονική μνήμης που στοιβάζει κάθετα την HBM απευθείας πάνω από τους AI accelerators, ξεπερνώντας τους συμβατικούς σχεδιασμούς όπου η HBM τοποθετείται δίπλα στον επεξεργαστή.
Μειώνοντας στο ελάχιστο την απόσταση που διανύουν τα δεδομένα ανάμεσα στον AI processor και τη μνήμη, η zHBM έχει σχεδιαστεί ώστε να προσφέρει υψηλότερο bandwidth και βελτιωμένη ενεργειακή αποδοτικότητα, επιτρέποντας την εξαιρετικά γρήγορη επεξεργασία δεδομένων που απαιτείται για μεγάλης κλίμακας AI training και inference.
Ένα σύστημα διεπαφής επόμενης γενιάς που ενσωματώνει zHBM αναμένεται να προσφέρει περίπου οκταπλάσια απόδοση σε σχέση με την HBM5. Με την τεχνολογία wafer bonding επόμενης γενιάς, η zHBM μπορεί να επιτύχει πάνω από 10 φορές μεγαλύτερη πυκνότητα μνήμης από την HBM5, βελτιώνοντας παράλληλα την ενεργειακή αποδοτικότητα κατά τρεις φορές και μειώνοντας τη θερμική αντίσταση κατά περισσότερο από το μισό. Μεγιστοποιώντας έτσι τη σταθερότητα και την ενεργειακή αποδοτικότητα συστημάτων υψηλής χωρητικότητας και υψηλού bandwidth.
Η zHBM υποστηρίζει επίσης σχεδιασμούς προσαρμοσμένους στις ανάγκες των πελατών, επιτρέποντας την ενσωμάτωση εξατομικευμένης IP στο ενδιάμεσο επίπεδο ανάμεσα στη μνήμη και τον AI accelerator, με στόχο την επέκταση της χωρητικότητας μνήμης και την ενίσχυση της απόδοσης του accelerator.
Αξιοποιώντας τη στενή συνεργασία με τους πελάτες της, η Samsung σχεδιάζει να βελτιστοποιήσει περαιτέρω την ενοποίηση των AI processors και της μνήμης μέσω της zHBM, ώστε να μεγιστοποιήσει την απόδοση των AI συστημάτων.
Η εταιρεία παρουσίασε επίσης τη zNAND-O, μια λύση NAND επόμενης γενιάς υψηλών επιδόσεων, βασισμένη στην τεχνολογία V-NAND της Samsung, η οποία αναπτύσσεται σε εκδόσεις τεσσάρων και οκτώ επιπέδων. Συνδυάζοντας υψηλή χωρική αποδοτικότητα, βελτιωμένη απόδοση I/O και χαμηλό latency, η zNAND-O είναι βελτιστοποιημένη για edge AI περιβάλλοντα που υποστηρίζουν εφαρμογές AI σε πραγματικό χρόνο με εντατική χρήση δεδομένων.
Πρώτη στον κλάδο τεχνολογία V10 BV–NAND
Η Samsung παρουσίασε την τεχνολογία V10 BV-NAND, η οποία διαθέτει τη νέα αρχιτεκτονική Bonding V-NAND. Η ανακοίνωση έρχεται 13 χρόνια μετά την παρουσίαση από τη Samsung της πρώτης στον κλάδο τεχνολογίας V-NAND στο Flash Memory Summit 2013, σηματοδοτώντας ένα ακόμη ορόσημο στην καινοτομία της εταιρείας στον τομέα της NAND.
Με περισσότερα από 400 επίπεδα, η V10 BV-NAND προσφέρει υψηλότερη απόδοση και ενεργειακή αποδοτικότητα, αυξάνοντας παράλληλα σημαντικά την πυκνότητα αποθήκευσης. Εφαρμόζοντας τεχνολογία wafer bonding για τη στοίβαξη των κυψελών μνήμης, η Samsung αύξησε την πυκνότητα μνήμης κατά περίπου 58% σε σχέση με την προηγούμενη γενιά, τη V9.
Πέρα από τον αυξημένο αριθμό επιπέδων, η V10 BV-NAND βελτιώνει επίσης την απόδοση ανάγνωσης, εγγραφής και I/O σε σχέση με την προηγούμενη γενιά, υποστηρίζοντας NAND υψηλών επιδόσεων και υψηλής χωρητικότητας για τα μελλοντικά AI συστήματα και τις εφαρμογές τους.
AI memory roadmap από HBM έως PIM και enterprise storage
Η Samsung παρουσίασε επίσης το πιο πρόσφατο χαρτοφυλάκιο AI μνήμης και αποθήκευσης, συμπεριλαμβανομένων των HBM4E, HBM5, LPDDR5X-PIM και PM1763, αναδεικνύοντας το roadmap της για το AI computing και την υποδομή data centers επόμενης γενιάς.
Μετά την πρώτη στον κλάδο μαζική παραγωγή HBM4, με χρήση τεχνολογιών 1c DRAM και 4 νανομέτρων (nm) base die τον Φεβρουάριο, η Samsung έγινε η πρώτη εταιρεία που ξεκίνησε την αποστολή δειγμάτων HBM4E σε πελάτες παγκοσμίως τον Μάιο, ενισχύοντας την ηγετική της θέση στην τεχνολογία HBM επόμενης γενιάς.
Μαζί με τα δείγματα HBM4E και το μοντέλο HBM5, η εταιρεία παρουσίασε την LPDDR5X-PIM, την πρώτη στον κλάδο μνήμη LPDDR με τεχνολογία processing-in-memory. Η νέα λύση έχει σχεδιαστεί ώστε να εκτελεί επεξεργασία δεδομένων μέσα στην ίδια τη μνήμη, βελτιώνοντας την αποδοτικότητα τόσο στη μετακίνηση δεδομένων όσο και στην κατανάλωση ενέργειας.
Στην έκθεση παρουσιάστηκαν επίσης οι πιο πρόσφατες λύσεις enterprise storage της Samsung, συμπεριλαμβανομένων των PM1763 και BM1773, σχεδιασμένες για να ανταποκρίνονται στις αυξανόμενες ανάγκες αποθήκευσης των AI data centers.
Λύσεις One–Stop Turnkey
Ως κατασκευαστής ημιαγωγών (IDM, Integrated Device Manufacturer) με δυνατότητες που καλύπτουν memory, foundry και advanced packaging, η Samsung παρουσίασε την end-to-end στρατηγική της για την AI υποδομή επόμενης γενιάς. Η στρατηγική αυτή προσφέρει στους πελάτες one-stop turnkey λύσεις που υποστηρίζουν τις εξελισσόμενες ανάγκες της εποχής της AI.
Από τον σχεδιασμό προϊόντων έως τη μαζική παραγωγή, η Samsung παρέχει ενοποιημένες υπηρεσίες ανάπτυξης και κατασκευής που συμβάλλουν στη συντόμευση των κύκλων ανάπτυξης, βελτιστοποιώντας παράλληλα την απόδοση και την ενεργειακή αποδοτικότητα. Έτσι, οι πελάτες μπορούν να διαθέτουν γρήγορα στην αγορά διαφοροποιημένες AI semiconductor λύσεις.
